onsemi ISL9V3040D3ST IGBT, 21 A 300 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 14,03

(excl. BTW)

€ 16,975

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 45 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
  • Plus verzending 1.735 stuk(s) vanaf 23 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 2,806€ 14,03
50 - 95€ 2,42€ 12,10
100 - 495€ 2,098€ 10,49
500 - 995€ 1,844€ 9,22
1000 +€ 1,678€ 8,39

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
807-8758
Fabrikantnummer:
ISL9V3040D3ST
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

21 A

Maximum Collector Emitter Voltage

300 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±10V

Maximum Power Dissipation

150 W

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

6.73 x 6.22 x 2.39mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor



IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links