Infineon IGB20N65S5ATMA1, Type N-Channel IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-263, Through Hole
- RS-stocknr.:
- 273-2957
- Fabrikantnummer:
- IGB20N65S5ATMA1
- Fabrikant:
- Infineon
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*
€ 10,16
(excl. BTW)
€ 12,295
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 75,00
Tijdelijk niet op voorraad
- 980 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,032 | € 10,16 |
| 50 - 95 | € 1,564 | € 7,82 |
| 100 - 245 | € 1,45 | € 7,25 |
| 250 - 495 | € 1,422 | € 7,11 |
| 500 + | € 1,392 | € 6,96 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 273-2957
- Fabrikantnummer:
- IGB20N65S5ATMA1
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en conformiteit
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 40A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.35V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Series | TRENCHSTOPTM5 | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 40A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.35V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Series TRENCHSTOPTM5 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IGBT with anti parallel diode in TO263 package is suitable for use with single turn on or turn off gate resistor.
Gate drivers with Miller clamping not required
Reduction in the EMI filtering needed
Excellent for paralleling
Gerelateerde Links
- Infineon IGB20N65S5ATMA1, Type N-Channel IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-263, Through Hole
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 211 A, 650 V N TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 211 A, 650 V N TO-263 IPBE65R050CFD7AATMA1
- Infineon IKFW75N65ES5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 60 A 650 V, 3-Pin HSIP247, Through Hole
- Infineon IGB50N65H5ATMA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-263
- Infineon IKP08N65H5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 18 A 650 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
- Infineon IKA08N65H5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 10.8 A 650 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
- Infineon IKZ75N65EH5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 75 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole