Infineon IGB50N65S5ATMA1 Single IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO263
- RS-stocknr.:
- 226-6063
- Fabrikantnummer:
- IGB50N65S5ATMA1
- Fabrikant:
- Infineon
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*
€ 16,13
(excl. BTW)
€ 19,515
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 75,00
Tijdelijk niet op voorraad
- Verzending 1.000 stuk(s) vanaf 15 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 3,226 | € 16,13 |
| 25 - 45 | € 2,902 | € 14,51 |
| 50 - 120 | € 2,708 | € 13,54 |
| 125 - 245 | € 2,516 | € 12,58 |
| 250 + | € 2,356 | € 11,78 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 226-6063
- Fabrikantnummer:
- IGB50N65S5ATMA1
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en conformiteit
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 30V | |
| Maximum Power Dissipation | 270 W | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Package Type | PG-TO263 | |
| Configuration | Single | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 80 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage 30V | ||
Maximum Power Dissipation 270 W | ||
Number of Transistors 1 | ||
Package Type PG-TO263 | ||
Configuration Single | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Transistor Configuration Single | ||
The Infineon IGB50N65S is 50 A IGBT with anti-parallel diode with no need for gate clamping component. In this soft current fall characteristics with no tail current and it is excellent for paralleling.
Very low VCEsat of 1.35 V at 25°C
Maximum junction temperature Tvj 175°C
four times nominal current
Maximum junction temperature Tvj 175°C
four times nominal current
Gerelateerde Links
- Infineon IGB50N65S5ATMA1 Single IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO263
- Infineon IKW50N65EH5XKSA1 Single IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247
- Infineon IKB15N65EH5ATMA1 IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon IKB40N65EF5ATMA1 IGBT, 74 A 650 V, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon IKB40N65ES5ATMA1 IGBT, 79 A 650 V, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon AIKW50N60CTXKSA1 IGBT, 80 A 600 V, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon IKWH40N65EH7XKSA1 Single Collector, Single Emitter, Single Gate IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3-STD-NN4.8,
- Infineon IKZA75N65EH7XKSA1 Single Collector, Single Emitter, Single Gate IGBT, 80 A 650 V, 4-Pin PG-TO247-4-STD-NT3.7,