Infineon IKB15N65EH5ATMA1 IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin PG-TO263-3

Bekijk alle IGBTs

Subtotaal (1 rol van 1000 eenheden)*

€ 932,00

(excl. BTW)

€ 1.128,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 06 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
1000 +€ 0,932€ 932,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
215-6647
Fabrikantnummer:
IKB15N65EH5ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

30 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20 V, ±30 V

Maximum Power Dissipation

105 W

Package Type

PG-TO263-3

Pin Count

3

The Infineon high speed switching insulated-gate bipolar transistor copacked with full rated current rapid 1 antiparallel diode also has 650v breakdown voltage.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Gerelateerde Links