Infineon IKB40N65ES5ATMA1 IGBT, 79 A 650 V, 3-Pin PG-TO263-3

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 7,08

(excl. BTW)

€ 8,56

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 4.276 stuk(s) vanaf 27 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 3,54€ 7,08
20 - 48€ 3,01€ 6,02
50 - 98€ 2,83€ 5,66
100 - 198€ 2,62€ 5,24
200 +€ 2,44€ 4,88

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
215-6655
Fabrikantnummer:
IKB40N65ES5ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

79 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20 V, ±30 V

Maximum Power Dissipation

230 W

Package Type

PG-TO263-3

Pin Count

3

The Infineon high speed switching series fifth generation insulated-gate bipolar transistor.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Gerelateerde Links