Infineon IGB50N65H5ATMA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-263

Subtotaal (1 rol van 1000 eenheden)*

€ 1.329,00

(excl. BTW)

€ 1.608,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
1000 +€ 1,329€ 1.329,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
218-4389
Fabrikantnummer:
IGB50N65H5ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

80 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Maximum Power Dissipation

270 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-263

Channel Type

N

Pin Count

3

The Infineon TRENCHSTOP IGBT5 technology redefines best-in-class IGBT resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. It has collector emitter voltage of 650 V and collector current of 80 A.

Higher power density design
50V increase in the bus voltage possible without compromising reliability
Mild positive temperature coefficient

Gerelateerde Links