Infineon FP75R12KT4BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V EconoPIM

Bekijk alle IGBTs

Subtotaal (1 tray van 10 eenheden)*

€ 1.308,07

(excl. BTW)

€ 1.582,76

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 18 december 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tray*
10 +€ 130,807€ 1.308,07

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
244-5851
Fabrikantnummer:
FP75R12KT4BOSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

75 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

7

Package Type

EconoPIM

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 355 W, maximum gate threshold voltage is 6.5 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)
Gate-emitter peak voltage + /- 20 V
Collector-emitter saturation voltage 2.15 V
Gate-emitter leakage current 400 nA

Gerelateerde Links