Infineon, Type N-Channel IGBT, 55 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 30 eenheden)*

€ 56,16

(excl. BTW)

€ 67,95

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 30 stuk(s) vanaf 30 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
30 - 30€ 1,872€ 56,16
60 - 120€ 1,778€ 53,34
150 +€ 1,704€ 51,12

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
215-6671
Fabrikantnummer:
IKW30N65H5XKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

55A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

188W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.65V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

High Speed Fifth Generation

Length

42mm

Standards/Approvals

JEDEC

Height

5.21mm

Automotive Standard

No

The Infineon 650v duopack insulated-gate bipolar transistor is a diode of fifth generation high speed switching series.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Gerelateerde Links