STMicroelectronics STGWA20HP65FB2, N-Channel IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-247

Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
RS-stocknr.:
204-3946
Fabrikantnummer:
STGWA20HP65FB2
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Channel Type

N

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current (Ic)

40 A

Maximum Collector Emitter Voltage (Vceo)

650 V

Pin Count

3

Package Type

TO-247

Maximum Gate Emitter Voltage (VGEO)

20 V

Number of Transistors

1

Land van herkomst:
CN
The STMicroelectronics HB2 series 650 V IGBT represents an evolution of the Advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. A diode used for protection purposes only is co-packaged in antiparallel with the IGBT. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.

Maximum junction temperature of 175°C

Co-packaged protection diode

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Positive temperature coefficient

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.