N-Channel MOSFET, 5.6 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB Vishay IRF510PBF
- RS-stocknr.:
- 919-0023
- Fabrikantnummer:
- IRF510PBF
- Fabrikant:
- Vishay
100 op voorraad - levertijd is 1 werkdag(en) (EU-voorraad)
550 op voorraad - levertijd is 3 à 5 werkdagen (UK-voorraad)
Toegevoegd
Prijs Per stuk (in een tube 50)
€ 0,534
(excl. BTW)
€ 0,646
(incl. BTW)
| Aantal stuks | Per stuk | Per tube* |
| 50 - 50 | € 0,534 | € 26,70 |
| 100 - 200 | € 0,454 | € 22,70 |
| 250 + | € 0,401 | € 20,05 |
| *prijsindicatie | ||
- RS-stocknr.:
- 919-0023
- Fabrikantnummer:
- IRF510PBF
- Fabrikant:
- Vishay
Datasheets
Wetgeving en conformiteit
- Land van herkomst:
- CN
Productomschrijving
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Specificaties
Kenmerk | Waarde |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.6 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Package Type | TO-220AB |
| Mounting Type | Through Hole |
| Pin Count | 3 |
| Maximum Drain Source Resistance | 540 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Power Dissipation | 43 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Width | 4.7mm |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Transistor Material | Si |
| Length | 10.41mm |
| Height | 9.01mm |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
- RS-stocknr.:
- 919-0023
- Fabrikantnummer:
- IRF510PBF
- Fabrikant:
- Vishay