DiodesZetex Isolated 2 N-Channel Power MOSFET, 9.3 A, 20 V Enhancement, 7-Pin UDFN DMN2014LHAB-7

Subtotaal (1 verpakking van 50 eenheden)*

€ 19,20

(excl. BTW)

€ 23,25

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 2.850 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
50 +€ 0,384€ 19,20

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
827-0462
Fabrikantnummer:
DMN2014LHAB-7
Fabrikant:
DiodesZetex
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

DiodesZetex

Channel Type

N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

9.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

UDFN

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

28mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-12, +12V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

1.7W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

+150°C

Transistor Configuration

Isolated

Height

0.6mm

Length

3.05mm

Width

2.05mm

Standards/Approvals

AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET Transistors, Diodes Inc.


Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.