DiodesZetex 2 N-Channel MOSFET, 9 A, 20 V Enhancement, 6-Pin U-DFN2030 DMN2014LHAB-13

Bekijk alle MOSFETs
Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
246-7508
Fabrikantnummer:
DMN2014LHAB-13
Fabrikant:
DiodesZetex
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

DiodesZetex

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

U-DFN2030

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

6

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16nC

Maximum Power Dissipation Pd

0.8W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12V

Forward Voltage Vf

0.75V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The DiodesZetex makes a new generation dual N-channel enhancement mode MOSFET, it has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in U-DFN2030-6 packaging. It offers fast switching and high efficiency. It has working temperature range of -55°C to +150°C. It offers low input capacitance and fast switching speed.

Maximum drain to source voltage is 20 V and maximum gate to source voltage is ±16 V It offers low on-resistance and low gate threshold voltage ESD protected gate

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.