Vishay SiHF634S Type N-Channel MOSFET, 8.1 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHF634S-GE3
- RS-stocknr.:
- 815-2632
- Fabrikantnummer:
- SIHF634S-GE3
- Fabrikant:
- Vishay
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*
€ 11,21
(excl. BTW)
€ 13,56
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 90,00
Tijdelijk niet op voorraad
- Verzending vanaf 05 januari 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,121 | € 11,21 |
| 100 - 240 | € 1,054 | € 10,54 |
| 250 - 490 | € 0,953 | € 9,53 |
| 500 - 990 | € 0,898 | € 8,98 |
| 1000 + | € 0,841 | € 8,41 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 815-2632
- Fabrikantnummer:
- SIHF634S-GE3
- Fabrikant:
- Vishay
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en conformiteit
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8.1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 250V | |
| Series | SiHF634S | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 450mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 41nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 74W | |
| Forward Voltage Vf | 2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.67mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 4.83mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8.1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 250V | ||
Series SiHF634S | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 450mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 74W | ||
Forward Voltage Vf 2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.67mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 4.83mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Land van herkomst:
- CN
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Gerelateerde Links
- Vishay SiHF634S Type N-Channel MOSFET, 8.1 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay SiHF840S Type N-Channel MOSFET, 8.1 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHF840STRL-GE3
- Vishay SiHF840S Type N-Channel MOSFET, 8.1 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay SUM70040E Type N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SUM70040E-GE3
- Vishay SUM90220E Type N-Channel MOSFET, 64 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SUM90220E-GE3
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SiHB28N60EF-GE3
- Vishay SiHFBC30AS Type N-Channel MOSFET, 3.6 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHFBC30AS-GE3
- Vishay SiHF630S Type N-Channel MOSFET, 9 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHF630STRL-GE3