P-Channel MOSFET, 1.2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2309CDS-T1-GE3

RS-stocknr.:: 710-3250
Fabrikantnummer:: SI2309CDS-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

P-Channel MOSFET, 1.2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2309CDS-T1-GE3

Prijs Per stuk (in een verpakking 10)**

€ 0,404

(excl. BTW)

€ 0,489

(incl. BTW)

40 op voorraad - levertijd is 1 werkdag(en) (EU-voorraad)*

140 op voorraad - levertijd is 3 à 5 werkdagen (UK-voorraad)

* Bezorgdata kunnen veranderen afhankelijk van de gekozen hoeveelheid en het bezorgadres.

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf 75,00 €

Aantal stuks	Per stuk	Per pak**
10 +	€ 0,404	€ 4,04

**prijsindicatie

RS-stocknr.:: 710-3250
Fabrikantnummer:: SI2309CDS-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Kenmerk	Waarde
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	1.2 A
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Package Type	SOT-23
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	345 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Maximum Power Dissipation	1 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip	1
Length	3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs	2.7 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Transistor Material	Si
Width	1.4mm
Height	1.02mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

P-Channel MOSFET, 1.2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2309CDS-T1-GE3

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf 75,00 €

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor