DiodesZetex Type P-Channel MOSFET, 1.6 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 ZXMP3A13FTA
- RS-stocknr.:
- 669-7518
- Fabrikantnummer:
- ZXMP3A13FTA
- Fabrikant:
- DiodesZetex
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*
€ 3,20
(excl. BTW)
€ 3,90
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 75,00
Op voorraad
- 10 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
- Plus verzending 270 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 10 - 20 | € 0,32 | € 3,20 |
| 30 - 140 | € 0,19 | € 1,90 |
| 150 - 740 | € 0,166 | € 1,66 |
| 750 - 1490 | € 0,14 | € 1,40 |
| 1500 + | € 0,116 | € 1,16 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 669-7518
- Fabrikantnummer:
- ZXMP3A13FTA
- Fabrikant:
- DiodesZetex
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en conformiteit
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 210mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 806mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | -0.95V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 1.4 mm | |
| Length | 3.05mm | |
| Height | 1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk DiodesZetex | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 210mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 806mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf -0.95V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 1.4 mm | ||
Length 3.05mm | ||
Height 1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Gerelateerde Links
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET, 1.6 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex ZXMP10A17E6 Type P-Channel MOSFET, 1.6 A, 100 V Enhancement, 6-Pin SOT-23
- DiodesZetex ZXMP10A17E6 Type P-Channel MOSFET, 1.6 A, 100 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 ZXMP10A17E6TA
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET, 1.6 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET, 1.6 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS308PEH6327XTSA1
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET, 1.1 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET, 1.1 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 ZXM61P03FTA
- DiodesZetex DMN Type N-Channel MOSFET, 1.6 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-23