Vishay IRF Type P-Channel MOSFET, 4 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 0,73

(excl. BTW)

€ 0,88

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 45 stuk(s) vanaf 26 januari 2026
  • Plus verzending 47 stuk(s) vanaf 26 januari 2026
  • Plus verzending 358 stuk(s) vanaf 02 februari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 0,73
10 - 49€ 0,65
50 - 99€ 0,61
100 - 249€ 0,58
250 +€ 0,55

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
543-0018
Fabrikantnummer:
IRF9510PBF
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-220

Series

IRF

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.2Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.7nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

43W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

-5.5V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

9.01mm

Standards/Approvals

No

Width

4.7 mm

Length

10.41mm

Automotive Standard

No

The Vishay third generation power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W.

Dynamic dV/dt rating

Repetitive avalanche rated

Simple drive requirements

Gerelateerde Links