Vishay SISS Type N-Channel MOSFET, 40.7 A, 100 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 1.875,00

(excl. BTW)

€ 2.268,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 6.000 stuk(s) vanaf 02 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,625€ 1.875,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
279-9995
Fabrikantnummer:
SISS5112DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

40.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SISS

Package Type

1212-8S

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0149Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

Gerelateerde Links