Vishay SIRS Type N-Channel MOSFET, 265 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS5800DP-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 8,26

(excl. BTW)

€ 10,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 6.000 stuk(s) vanaf 20 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 48€ 4,13€ 8,26
50 - 98€ 3,095€ 6,19
100 - 248€ 2,755€ 5,51
250 - 998€ 2,70€ 5,40
1000 +€ 2,66€ 5,32

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
279-9973
Fabrikantnummer:
SIRS5800DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

265A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SIRS

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0018Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

240W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

122nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

Gerelateerde Links