Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, -42 A, -55 V TO-263 AUIRF4905STRL
- RS-stocknr.:
- 260-5059
- Fabrikantnummer:
- AUIRF4905STRL
- Fabrikant:
- Infineon
Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkortingSubtotaal (1 eenheid)*
€ 6,20
(excl. BTW)
€ 7,50
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 90,00
Op voorraad
- 210 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk |
|---|---|
| 1 - 9 | € 6,20 |
| 10 - 24 | € 5,89 |
| 25 - 49 | € 5,77 |
| 50 - 99 | € 5,40 |
| 100 + | € 5,02 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 260-5059
- Fabrikantnummer:
- AUIRF4905STRL
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en conformiteit
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -42A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -55V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 20mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 53nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 170W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 15.88mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 10.67mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -42A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -55V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 20mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 53nC | ||
Forward Voltage Vf -1.3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 170W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 15.88mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 10.67mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon P Channel HEXFET Power MOSFET is specifically design for automotive applications. This power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.
Advanced process technology
Ultra low on resistance
Fast switching
Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Gerelateerde Links
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, -42 A, -55 V TO-263
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 70 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 31 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 19 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 31 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF5305STRLPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 70 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF4905STRLPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 19 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF9Z34NSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 64 A, 55 V TO-263