Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 122 A, 150 V Enhancement, 8-Pin HSOF-8 IPT063N15N5ATMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 3,87

(excl. BTW)

€ 4,68

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.810 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 +€ 3,87

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
249-3356
Fabrikantnummer:
IPT063N15N5ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

122A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

IPT

Package Type

HSOF-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon Optimos 5 power mosfet is N-Channel mosfet offers very low on-resistance and superior thermal resistance. This device is Pb (Lead) and halogen free. It comes in a surface mount, PG-HSOF-8 package.

Vds (drain to source voltage) is 150 V

Rds (max on) is 6.3 milliohm and Id is 122 A

Qdss and Qg values are 131 nC and 47 nC respectively

Gerelateerde Links