Renesas Electronics Type N-Channel MOSFET, 25 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-669 RJK0651DPB-00#J5

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 1.837,50

(excl. BTW)

€ 2.222,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 11 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,735€ 1.837,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
234-7154
Fabrikantnummer:
RJK0651DPB-00#J5
Fabrikant:
Renesas Electronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Renesas Electronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-669

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

14mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

45W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Renesas Electronics N-channel single power MOSFET suitable for switching and load switch applications. It has high breakdown voltage of 60 V. It is capable of 4.5 V gate drive.

High speed switching

Low drive current

High density mounting

Low on-resistance

Pb-free

Halogen-free

Gerelateerde Links