Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET, 37 A, 100 V, 8-Pin PQFN ISZ0803NLSATMA1

Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
232-6776
Fabrikantnummer:
ISZ0803NLSATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

37A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PQFN

Series

OptiMOS 5

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

21.9mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

43W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

3.4mm

Width

1.1mm

Standards/Approvals

No

Length

3.4mm

Automotive Standard

No

The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 100 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. It's PQFN 3.3x3.3 package offers fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.

Logic level availability

Excellent thermal behaviour

100% avalanche tested

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.