Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 30 A, 80 V Enhancement, 4-Pin PQFN IRFH8311TRPBF

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 15 eenheden)*

€ 13,725

(excl. BTW)

€ 16,605

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 1.425 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
15 - 60€ 0,915€ 13,73
75 - 135€ 0,87€ 13,05
150 - 360€ 0,85€ 12,75
375 - 735€ 0,796€ 11,94
750 +€ 0,741€ 11,12

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4747
Fabrikantnummer:
IRFH8311TRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PQFN

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

96W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

6.15 mm

Height

1.17mm

Automotive Standard

No

The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Low RDSon (<1.15 mΩ)

Low Thermal Resistance to PCB (<0.8°C/W)

100% Rg tested

Low Profile (<0.9 mm)

Gerelateerde Links