Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 70 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB70N10S312ATMA1

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 22,56

(excl. BTW)

€ 27,30

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 610 stuk(s) vanaf 29 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 2,256€ 22,56
50 - 90€ 2,143€ 21,43
100 - 240€ 2,053€ 20,53
250 - 490€ 1,963€ 19,63
500 +€ 1,828€ 18,28

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
217-2508
Fabrikantnummer:
IPB70N10S312ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

70A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263

Series

CoolMOS

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Maximum Power Dissipation Pd

129W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.31mm

Height

4.57mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon 100V, N-Ch, 11.3 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T.

N-channel - Enhancement mode

Automotive AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Green product (RoHS compliant)

100% Avalanche tested

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.