Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 37 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Subtotaal (1 rol van 1000 eenheden)*

€ 1.692,00

(excl. BTW)

€ 2.047,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 31 augustus 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
1000 +€ 1,692€ 1.692,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
217-2503
Fabrikantnummer:
IPB60R080P7ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

37A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

CoolMOS

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

80mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.9V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Maximum Power Dissipation Pd

129W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

4.57mm

Standards/Approvals

No

Length

10.31mm

Automotive Standard

No

The Infineon 600V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

600V P7 enables excellent FOM R DS(on)xE oss DS(on)xQ G

ESD ruggedness of ≥ 2kV (HBM class 2)

Integrated gate resistor R G

Rugged body diode

Wide portfolio in through hole and surface mount packages

Both standard grade and industrial grade parts are available

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.