Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 50 A, 80 V Enhancement, 7-Pin MG-WDSON

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 5000 eenheden)*

€ 2.340,00

(excl. BTW)

€ 2.830,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 5.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
5000 +€ 0,468€ 2.340,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
214-8966
Fabrikantnummer:
BSB104N08NP3GXUSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

OptiMOS

Package Type

MG-WDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

10.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

42W

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.7mm

Width

6.35 mm

Standards/Approvals

No

Length

5.05mm

Automotive Standard

No

The Infineon range of OptiMOS is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle). These consists of range of energy efficient MOSFET transistors, in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces.

Low parasitic inductance

Optimized technology for DC/DC converters

Dual sided cooling

Gerelateerde Links