Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET, 2 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SPD02N80C3ATMA1

Subtotaal (1 verpakking van 15 eenheden)*

€ 10,17

(excl. BTW)

€ 12,30

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.280 stuk(s) vanaf 12 oktober 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
15 +€ 0,678€ 10,17

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
214-4479
Artikelnummer Distrelec:
304-39-428
Fabrikantnummer:
SPD02N80C3ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-252

Series

CoolMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.7Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Maximum Power Dissipation Pd

42W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC1

Automotive Standard

No

This Infineon Cool MOS MOSFET uses new revolutionary high voltage technology and has high peak current capability.

It has ultra low gate charge

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.