Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET, 2 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SPD02N80C3ATMA1

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 942,50

(excl. BTW)

€ 1.140,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 29 maart 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,377€ 942,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
214-4478
Fabrikantnummer:
SPD02N80C3ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

CoolMOS

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.7Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16nC

Maximum Power Dissipation Pd

42W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC1

Automotive Standard

No

This Infineon Cool MOS MOSFET uses new revolutionary high voltage technology and has high peak current capability.

It has ultra low gate charge

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.