Fabrikantnummer

Vishay SiR882BDP N-Channel MOSFET, 67.5 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR882BDP-T1-RE3

RS-stocknr.:: 210-5007
Fabrikantnummer:: SiR882BDP-T1-RE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay SiR882BDP N-Channel MOSFET, 67.5 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR882BDP-T1-RE3

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 15,34

(excl. BTW)

€ 18,56

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 90,00

Tijdelijk niet op voorraad

Verzending vanaf 09 november 2027

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
10 - 90	€ 1,534	€ 15,34
100 - 240	€ 1,489	€ 14,89
250 - 490	€ 1,411	€ 14,11
500 - 990	€ 1,351	€ 13,51
1000 +	€ 1,272	€ 12,72

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 210-5007
Fabrikantnummer:: SiR882BDP-T1-RE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en conformiteit

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	67.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	SiR882BDP
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	6.9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	54nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Power Dissipation Pd	83.3W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	6.25mm
	Width	5.26mm
	Height	1.12mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 67.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series SiR882BDP
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 6.9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 54nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Power Dissipation Pd 83.3W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 6.25mm
	Width 5.26mm
	Height 1.12mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SiR882BDP-T1-RE3

The Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8 package type.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.