Vishay E Type N-Channel MOSFET, 2.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK

Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
RS-stocknr.:
210-4995
Fabrikantnummer:
SIHU2N80AE-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

2.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

IPAK

Series

E

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

2.18mm

Length

6.73mm

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has IPAK (TO-251) package type.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

Ultra low gate charge (Qg)

Avalanche energy rated (UIS)

Integrated Zener diode ESD protection

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.