Vishay TrenchFET Gen IV N-Channel MOSFET, 65.8 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR106ADP-T1-RE3

Momenteel niet beschikbaar
Sorry, we weten niet wanneer dit weer voorradig zal zijn.
RS-stocknr.:
200-6863
Fabrikantnummer:
SiR106ADP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

65.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET Gen IV

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

52nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

83.3W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

6.15mm

Standards/Approvals

No

Length

5.15mm

Width

5.15mm

Automotive Standard

No

The Vishay SiR106ADP-T1-RE3 is a N-channel 100V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.