Fabrikantnummer

onsemi N-Channel MOSFET, 224 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PQFN NVMFSC1D6N06CL

RS-stocknr.:: 195-2675
Fabrikantnummer:: NVMFSC1D6N06CL
Fabrikant:: onsemi

onsemi N-Channel MOSFET, 224 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PQFN NVMFSC1D6N06CL

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 50,76

(excl. BTW)

€ 61,42

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 90,00

Laatste voorraad RS

Laatste 710 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
10 - 90	€ 5,076	€ 50,76
100 - 240	€ 4,375	€ 43,75
250 +	€ 3,792	€ 37,92

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 195-2675
Fabrikantnummer:: NVMFSC1D6N06CL
Fabrikant:: onsemi

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en conformiteit

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	onsemi
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	224A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	PQFN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	91nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	166W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	5mm
	Length	5.9mm
	Height	950μm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Alles selecteren
	Merk onsemi
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 224A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type PQFN
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 91nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 166W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 5mm
	Length 5.9mm
	Height 950μm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet NVMFSC1D6N06CL

Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead, dual cool package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

Small Footprint (5x6 mm)

Compact Design

Low RDS(on)

Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance

Minimize Driver Losses

PPAP Capable

Application

Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)

Reverser Battery protection

Switching power supplies

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.