Vishay Dual TrenchFET 2 N-Channel MOSFET, 850 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SQ1922AEEH-T1_GE3

Momenteel niet beschikbaar
Sorry, we weten niet wanneer dit weer voorradig zal zijn.
RS-stocknr.:
188-4911
Fabrikantnummer:
SQ1922AEEH-T1_GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

850mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SOT-363

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

530mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.9nC

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

1.5W

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Dual

Width

1.35mm

Standards/Approvals

No

Length

2.2mm

Height

1mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

Automotive Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET.

TrenchFET® power MOSFET

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.