Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 16 A, 12 V Enhancement, 6-Pin MICRO FOOT SI8483DB-T2-E1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 9,20

(excl. BTW)

€ 11,125

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 21 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 - 225€ 0,368€ 9,20
250 - 600€ 0,35€ 8,75
625 - 1225€ 0,266€ 6,65
1250 - 2475€ 0,24€ 6,00
2500 +€ 0,202€ 5,05

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
180-7932
Fabrikantnummer:
SI8483DB-T2-E1
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

16A

Maximum Drain Source Voltage Vds

12V

Package Type

MICRO FOOT

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

26mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Maximum Power Dissipation Pd

13W

Forward Voltage Vf

-1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

1 mm

Length

1.5mm

Height

0.59mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay Siliconix Si8483DB series TrenchFET dual N channel power MOSFET has drain to source voltage of 12 V. It is maximum power dissipation of 13 W and mainly used in load switch in portable devices.

Low voltage drop

Low power consumption

Increased battery life

Gerelateerde Links