IXYS Type N-Channel MOSFET, 72 A, 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 tube van 10 eenheden)*

€ 408,36

(excl. BTW)

€ 494,12

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 110 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
  • Plus verzending 350 stuk(s) vanaf 14 augustus 2026
  • Plus verzending 70 stuk(s) vanaf 28 augustus 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
10 +€ 40,836€ 408,36

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
168-4484
Fabrikantnummer:
IXFN82N60P
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

72A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

75mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1.04kW

Forward Voltage Vf

1.5V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

240nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

38.2mm

Height

9.6mm

Width

25.07 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links