N-Channel MOSFET, 53 A, 800 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN60N80P

RS-stocknr.:: 168-4494
Fabrikantnummer:: IXFN60N80P
Fabrikant:: IXYS

N-Channel MOSFET, 53 A, 800 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN60N80P

Prijs Per stuk (in een tube 10)

€ 37,514

(excl. BTW)

€ 45,392

(incl. BTW)

570 op voorraad - levertijd is 4 werkdag(en).*

* Bezorgdata kunnen veranderen afhankelijk van de gekozen hoeveelheid en het bezorgadres.

Aantal stuks	Per stuk	Per tube**
10 +	€ 37,514	€ 375,14

**prijsindicatie

RS-stocknr.:: 168-4494
Fabrikantnummer:: IXFN60N80P
Fabrikant:: IXYS

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Kenmerk	Waarde
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	53 A
Maximum Drain Source Voltage	800 V
Package Type	SOT-227
Series	HiperFET, Polar
Mounting Type	Screw Mount
Pin Count	4
Maximum Drain Source Resistance	140 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	5V
Maximum Power Dissipation	1.04 kW
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip	1
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Width	25.42mm
Transistor Material	Si
Length	38.23mm
Typical Gate Charge @ Vgs	250 nC @ 10 V
Height	9.6mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

N-Channel MOSFET, 53 A, 800 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN60N80P

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series