IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 60 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-268 IXFT60N65X2HV

Subtotaal (1 tube van 30 eenheden)*

€ 170,94

(excl. BTW)

€ 206,85

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 28 juni 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
30 +€ 5,698€ 170,94

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
146-4235
Fabrikantnummer:
IXFT60N65X2HV
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

HiperFET

Package Type

TO-268

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

52mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

780W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

108nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.4V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

16.05mm

Height

5.1mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Low RDS(ON) and Qg

Fast body diode

dv/dt ruggedness

Avalanche rated

Low package inductance

International standard packages

Resonant mode power supplies

High intensity discharge (HID) lamp ballast

AC and DC motor drives

DC-DC converters

Robotic and servo control

Battery chargers

3-level solar inverters

LED lighting

Unmanned Aerial Vehicles (UAVs)

Higher efficiency

High power density

Easy to mount

Space savings

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.