Infineon OptiMOS FD Type N-Channel MOSFET, 84 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB117N20NFDATMA1

Subtotaal (1 rol van 2 eenheden)*

€ 4,51

(excl. BTW)

€ 5,458

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 2 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2 +€ 2,255€ 4,51

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
110-7458
Fabrikantnummer:
IPB117N20NFDATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

84A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

TO-263

Series

OptiMOS FD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

65nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

170°C

Standards/Approvals

IEC61249-2-21, JEDEC, Pb-free lead plating, RoHS

Length

10.31mm

Height

4.57mm

Width

9.45 mm

Automotive Standard

No

N.v.t.

Infineon OptiMOS™ FD Power MOSFET


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Gerelateerde Links