Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET, 127 A, 80 V Enhancement, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQE031N08LM6CGSCATMA1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 2,33

(excl. BTW)

€ 2,82

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 2,33
10 - 24€ 1,96
25 - 99€ 1,21
100 - 499€ 1,19
500 +€ 1,15

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
762-895
Fabrikantnummer:
IQE031N08LM6CGSCATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

N channel

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

127A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

OptiMOS

Package Type

PG-WHTFN-9

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

9

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.15mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

33nC

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

3.4mm

Height

0.75mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
MY
The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor is optimized for high performance SMPS featuring rated voltage of 80 V. It is halogen‑free according to IEC61249‑2‑21 and is RoHS compliant.

N‑channel

100% avalanche tested

75°C operating temperature

Pb‑free lead plating

Gerelateerde Links