Vishay SISS126DN N channel-Channel MOSFET, 54.7 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SISS126DN-T1-UE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 1 eenheid)*

€ 1,38

(excl. BTW)

€ 1,67

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 24 augustus 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Rol(len)
Per rol
1 - 24€ 1,38
25 - 99€ 0,91
100 - 499€ 0,47
500 +€ 0,44

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
735-130
Fabrikantnummer:
SISS126DN-T1-UE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

54.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SISS126DN

Package Type

PowerPAK 1212-8

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00825Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19.6nC

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.3mm

Width

3.3mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
IL
The Vishay N-Channel MOSFET designed for optimal efficiency in power management applications, delivering high performance while operating within specified limits.

Operates at a drain-source voltage of 80 V for reliable performance

Exhibits very low on-state resistance to minimise power loss

Offers a high continuous drain current rating of up to 54.7 A

Gerelateerde Links