Infineon IQD0 Type N-Channel MOSFET, 151 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PG-WHSON-8 IQD063N15NM5SCATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 11,78

(excl. BTW)

€ 14,26

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 5.000 stuk(s) vanaf 07 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 5,89€ 11,78
20 - 198€ 5,305€ 10,61
200 - 998€ 4,885€ 9,77
1000 - 1998€ 4,535€ 9,07
2000 +€ 4,07€ 8,14

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
351-914
Fabrikantnummer:
IQD063N15NM5SCATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

151A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

PG-WHSON-8

Series

IQD0

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.32mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

48nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

333W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, JEDEC, Halogen‐Free According to IEC61249‐2‐21

Width

6 mm

Height

0.75mm

Length

5mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
MY
The Infineon Power MOSFET comes with a low RDS(on) of 6,32 mOhm combined with outstanding thermal performance for easy power loss management. Moreover, with the dual-side cooling package five times more power can be dissipated compared to the over molded package. This enables higher system efficiency and power density for a large variety of end applications.

Cutting edge 150 V silicon technology

Outstanding FOMs

Improved thermal performance

Ultra-low parasitic

Maximized chip or package ratio

Gerelateerde Links