Infineon ISA Type P, Type N-Channel MOSFET, 8.4 A, 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 ISA220280C03LMDSXTMA1

Momenteel niet beschikbaar
Sorry, we weten niet wanneer dit weer voorradig zal zijn.
RS-stocknr.:
348-904
Fabrikantnummer:
ISA220280C03LMDSXTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P, Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

8.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PG-TO252-3

Series

ISA

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

22mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.2mm

Height

1.75mm

Standards/Approvals

IEC61249‐2‐21, JEDEC

Width

5mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Infineon OptiMOS 3 Power Transistors available in complementary N and P channel configurations, are designed for high efficiency switching applications. These MOSFETs feature very low on resistance (RDS(on)), which minimizes conduction losses and enhances overall system performance. Additionally, they offer superior thermal resistance, ensuring better heat dissipation and reliability in demanding applications. These characteristics make them ideal for various power management and energy efficient designs.

100% avalanche tested

Pb free lead plating and RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249‑2‑21

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.