STMicroelectronics SuperMESH Dual N-Channel MOSFET, 0.4 A, 450 V Enhancement, 8-Pin SO-8 STS1DNC45

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 rol van 10 eenheden)*

€ 14,40

(excl. BTW)

€ 17,40

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Wordt opgeheven
  • Laatste 5.930 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie

Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
10 - 90€ 1,44€ 14,40
100 - 240€ 1,368€ 13,68
250 - 490€ 1,27€ 12,70
500 - 990€ 1,166€ 11,66
1000 +€ 1,123€ 11,23

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
151-447
Fabrikantnummer:
STS1DNC45
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Channel Type

Dual N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

0.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

450V

Series

SuperMESH

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Forward Voltage Vf

1.6V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Minimum Operating Temperature

-65°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET developed using Super MESH technology, achieved through optimization of well established Power MESH layout. In addition to a significant reduction in on resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

Standard outline for easy automated surface mount assembly

Gate charge minimized

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.