onsemi FGH40T120SMD IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal 10 eenheden (geleverd in een buis)*

€ 73,90

(excl. BTW)

€ 89,40

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 7 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
  • Plus verzending 450 stuk(s) vanaf 01 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
10 - 99€ 7,39
100 - 249€ 6,11
250 - 499€ 5,77
500 +€ 5,40

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
864-8855P
Fabrikantnummer:
FGH40T120SMD
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

80 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±25V

Maximum Power Dissipation

555 W

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.87 x 4.82 x 20.82mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor



IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links