STMicroelectronics STGF3NC120HD IGBT, 6 A 1200 V, 3-Pin TO-220FP, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 10,74

(excl. BTW)

€ 12,995

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.380 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 20€ 2,148€ 10,74
25 - 45€ 2,04€ 10,20
50 - 120€ 1,838€ 9,19
125 - 245€ 1,654€ 8,27
250 +€ 1,572€ 7,86

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
795-9094
Fabrikantnummer:
STGF3NC120HD
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

6 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

25 W

Package Type

TO-220FP

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

10.4 x 4.6 x 16.4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

IGBT Discretes, STMicroelectronics



IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links