Infineon IGBT Module 1200 V

Subtotaal (1 tray van 10 eenheden)*

€ 864,19

(excl. BTW)

€ 1.045,67

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 17 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tray*
10 +€ 86,419€ 864,19

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
244-5846
Fabrikantnummer:
FP75R12KT4B11BOSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Number of Transistors

7

Maximum Power Dissipation Pd

385W

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.15V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

62 mm

Series

FP75R12KT4B11B

Standards/Approvals

RoHS

Height

17mm

Length

122mm

Automotive Standard

No

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives, servo drives etc.

Electrical Features

Low switching losses

Tvj op = 150° C

VCEsat with positive temperature coefficient

Low VCEsat

Mechanical features

High power and thermal cycling capability

Integrated NTC temperature sensor

Copper base plate

Pressfit contact technology

Standard housing

Gerelateerde Links