Infineon FP50R12KE3BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 119,59

(excl. BTW)

€ 144,70

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 10 stuk(s) vanaf 05 augustus 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 1€ 119,59
2 - 4€ 117,19
5 +€ 105,48

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
244-5835
Fabrikantnummer:
FP50R12KE3BOSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

75 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

7

Maximum Power Dissipation

280 W

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 280 W, maximum gate threshold voltage is 6.5 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)
Gate-emitter peak voltage + /- 20 V
Collector-emitter saturation voltage 2.30 V
Gate-emitter leakage current 400 nA

Gerelateerde Links