Infineon FS150R12KT4B11BOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V

Bekijk alle IGBTs

Subtotaal (1 tray van 10 eenheden)*

€ 1.323,47

(excl. BTW)

€ 1.601,40

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 10 stuk(s) vanaf 16 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tray*
10 +€ 132,347€ 1.323,47

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
244-5407
Fabrikantnummer:
FS150R12KT4B11BOSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

150 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

+/-20V

Maximum Power Dissipation

750 W

Number of Transistors

6

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 300 A and collector-emitter saturation voltag 2.10 V, gate threshold voltage is 6.4 V.

Collector-emitter cut-off current 1.0 mA
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 100 nA
Reverse transfer capacitance 0.35 nF

Gerelateerde Links