Infineon IGP20N65H5XKSA1 IGBT, 20 A 650 V TO-220

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 2,21

(excl. BTW)

€ 2,674

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 274 stuk(s) vanaf 30 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 8€ 1,105€ 2,21
10 - 98€ 1,045€ 2,09
100 - 248€ 0,995€ 1,99
250 - 498€ 0,95€ 1,90
500 +€ 0,905€ 1,81

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
242-0978
Fabrikantnummer:
IGP20N65H5XKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

20A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Package Type

TO-220

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.65V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 ±30 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

10.36 mm

Height

4.57mm

Standards/Approvals

JEDEC

Length

29.95mm

Series

High Speed Fifth Generation

Automotive Standard

No

The Infineon IGBT trasistor has a 650 V breakthrough voltage.The maximum junction temperature of transistor is 175°C.

Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies

Plug and play replacement of previous generation IGBTs

Applicable in Solar converters , Uninterruptible power supplies, Welding converters

Mid to high range switching frequency converters

Gerelateerde Links