Infineon IGP20N65H5XKSA1 Single IGBT, 42 A 650 V TO-220-3

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 2,90

(excl. BTW)

€ 3,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 280 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 8€ 1,45€ 2,90
10 - 98€ 1,375€ 2,75
100 - 248€ 1,31€ 2,62
250 - 498€ 1,24€ 2,48
500 +€ 1,19€ 2,38

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
242-0978
Fabrikantnummer:
IGP20N65H5XKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

42 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

125 W

Configuration

Single

Package Type

TO-220-3

The Infineon IGBT trasistor has a 650 V breakthrough voltage.The maximum junction temperature of transistor is 175°C.

Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies
Plug and play replacement of previous generation IGBTs
Applicable in Solar converters , Uninterruptible power supplies, Welding converters
Mid to high range switching frequency converters

Gerelateerde Links