Infineon IGP20N65H5XKSA1 Single IGBT, 42 A 650 V TO-220-3

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 500 eenheden)*

€ 596,50

(excl. BTW)

€ 722,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 07 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
500 - 500€ 1,193€ 596,50
1000 +€ 1,133€ 566,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
242-0977
Fabrikantnummer:
IGP20N65H5XKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

42 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

125 W

Configuration

Single

Package Type

TO-220-3

The Infineon IGBT trasistor has a 650 V breakthrough voltage.The maximum junction temperature of transistor is 175°C.

Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies
Plug and play replacement of previous generation IGBTs
Applicable in Solar converters , Uninterruptible power supplies, Welding converters
Mid to high range switching frequency converters

Gerelateerde Links